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ISSI公司推出IS34ML/MW 单层单元 (SLC) NAND 闪存

ISSI 的闪存器件非常适合需要高可靠性的性能导向应用。

 

ISSI 的 IS34ML/MW SLC NAND 闪存的图片ISSI 的 IS34ML 和 IS34MW 系列 NAND 产品为嵌入式市场补充了串行和并行 NOR 产品。ML (3.0 V) 系列和 MW (1.8 V) 系列 SLC NAND 器件的密度分别为 1 Gb、2 Gb 和 4 Gb。

 

SLC NAND 闪存器件非常适合需要高可靠性的性能导向应用。SLC 每个存储单元存储 1 位数据,并提供快速读写功能。这些产品适用于要求 1 位或 4 位 ECC 算法的系统,并提供 100 K 周期的耐久性和 10 年的保留期。

 

特性

供电电压:

VCC: 2.7 V 至 3.6 V(IS34ML 系列)

VCC: 1.7 V 至 1.95 V(IS34MW 系列)

灵活的 x8 或 x16 选择

均匀的高性价比块

块擦除时间:3 ms(典型值)

自动读操作

硬件数据保护

100 K 编程/擦除周期

数据保持时间:10 年

支持每 512 字节 1 位或 4 位 ECC

工业温度范围:-40°C 至 +85°C

扩展温度范围:-40°C 至 105°C

行业标准封装:48 引脚 TSOP 和 63 引脚 (9 mm x 11 mm BGA)

 

应用

汽车信息娱乐

仪表组

ADAS

工业仪表

工业传感器

M2M

POS 终端

智能计量

游戏机

打印机

数码相机

数字电视

机顶盒

9001zz以诚为本代理销售ISSI产品
更多IC电子元器件制造商行业动态(2024年6月12日更新)
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