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Diodes 开发套件 130W USB PD 充电器使用 Transphorm SuperGaN FET

对于 USB Type-C Power Delivery (PD) 3.0,Diodes推出了完整的充电器套件。它结合了 Diodes 的 ACF(有源钳位反激式)控制器与Transphorm的第四代SuperGaN器件和输入 PFC 级。与 E 模式 GaN 和硅基系统相比,该解决方案以优化的系统成本(材料清单)提供 43 mW 的最大待机功率和超过 93.5% 的最大效率。该解决方案预计将超过 DOE VI 和 COC Tier 2 效率要求。

 

在 USB PD 充电应用中,Diodes 的 ACF 解决方案可以胜过传统的反激式转换器,并提供比谐振 LLC 半桥解决方案低得多的成本。该套件使用 Diodes 的三个中央控制器和 Transphorm 的两个 SuperGaN FET:

 

AP3306 :高度集成的 ACF 控制器,具有广泛的保护功能。

APR340:用于二次侧同步整流的 MOSFET 驱动器。

AP43771V:具有开/关 N 沟道 MOSFET 控制和保护功能的 USB Type-C PD 3.0 控制器。它具有一个板载 MCU,该 MCU 具有一个虚拟多可编程区域并支持各种快速充电电流配置文件。

两个TP65H150G4LSG:这些是 650V SuperGaN 器件,导通电阻为 150mΩ,PFC 和 ACF 级各一个。

Diodes 现在可应要求提供此套件。

 

有关样品、详细规格、价格和交货报价及更多信息,请联系当地的Transphorm代理商进行询问。

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更多IC电子元器件制造商行业动态(2024年3月29日更新)
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