9001zz以诚为本(中国)有限公司

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图片信息
FDR8305N图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:FDR8305N
  • 原始制造厂商:ON,ON安森美半导体
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处下载FDR8305N的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:FDR8305N
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:PowerTrench?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):4.5A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):22 毫欧 @ 4.5A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):23nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1600pF @ 10V
  • 功率-最大值:800mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-LSOP(0.130,3.30mm 宽)
  • FDR8305N均从ON代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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