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ISSI 的 LPDDR4 和 LPDDR4X 是低压存储器件，具有 2 Gb、4 Gb 和 8 Gb 密度。这些器件被组织为每个器件 1/2 个通道，每通道 8 个存储体 16 位。LPDDR4 和 LPDDR4X 使用双倍传输速率架构来实现高速工作。这种双倍传输速率架构本质上是 16N 预取架构，具有在 I/O 引脚上每时钟周期传输两个数据字的接口。

LPDDR4 和 LPDDR4X 具有完全同步的工作模式，以时钟的上升沿和下降沿为基准。数据路径是内部流水线式和 16N 位预取式，用于达到很高的带宽。LPDDR4 和 LPDDR4X 均具有可编程实时猝发长度的可编程读写延迟。这些器件的低压内核和 I/O 使它们成为移动应用的理想选择。

特性

低电压

LPDDR4: 1.8 V

LPDDR4X: 1.1 V

低压 I/O

LPDDR4: 1.1 V

LPDDR4X: 0.6 V

10 MHz 至 1600 MHz 频率范围

每个 I/O 传输速率 20 Mbps 至 3200 Mbps

16N 预取 DDR 架构

每个通道八个内部存储体，用于并行工作

多路复用，双倍传输速率，指令/地址输入

移动功能可降低功耗

可编程的实时猝发长度（BL = 16 或 32）

可编程的读写延迟

片载温度传感器可实现有效的自刷新控制

ZQ 校准

可调驱动强度

局部阵列自刷新 (PASR)

10 mm x 14.5 mm BGA-200 封装

时钟频率：1.6 GHz

内存格式：DRAM

内存接口：并行

内存类型：易失性

安装类型：表面贴装

工作温度：-40°C 至 95°C (TC)

封装/外壳：200-TFBGA 至 200-WFBGA

技术：SDRAM 移动版 LPDDR4

电源电压：1.06 V 至 1.17 V，1.7 V 至 1.95 V